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ATP microSD S800Pi 512MB

Industrielle 512MB microSD SLC Karte // Herstellernummer: AF512UDI-5AFXM

FEATURES

  • Industrielle microSD Karte
  • Kapazität: 512MB SLC
  • Vollkapselung in Epoxydharz
  • Betriebstemp.: -40°C ~ +85°C
  • Schutzklasse: IP67
Artikelnummer: 25296

Beschreibung

Industrielle SD Karten mit verlängerter Lebensdauer für Embedded Anwendungen

Die industriellen ATP Micro SD Karten wurden für anspruchsvolle Applikationen wie Navigationssysteme, Fahrzeugrekorder, Handheld-Geräte und Systeme entwickelt, die zuverlässige Wechselspeichergeräte in kleinen Formfaktoren benötigen.

Durch ATPs SIP- (System-In-Package) Herstellungsverfahren können die Micro SD Karten Betriebstemperaturen von bis zu -40 ° bis +85 ° Celsius standhalten. Sämtliche ATP-Industrial-Grade-Produkte durchlaufen umfassende Burn-in-Tests zum Schutz vor möglichen frühzeitigen Ausfällen, die gelegentlich in jeder Halbleitertechnologie auftreten können. Darüber hinaus verfügen sie über einen Read Disturb Protector (AutoRefresh-Technologie), der gleichzeitig die Datenintegrität gewährleistet.

Wir bieten Ihnen für unsere industriellen ATP Karten eine „Fixed BOM“, was Ihnen die Sicherheit gibt, kontinuierlich, die bereits qualifizierten Karten zu erhalten. (Identische Hardware, Identische Firmware)

Die ATP Micro SD Karten wurden von führenden Herstellern von Handheld-Systemen wie Motorola und Honeywell geprüft und zugelassen.

Hersteller-Artikelnummer Vorgänger: AF512UDI-ZADXM

Hersteller-Artikelnummer neue Version: AF512UDI-5AFXM

Spezifikationen

Produkt: ATP microSD S800Pi 512MB
Herstellernummer AF512UDI-5AFXM
Flashtyp SLC (Single-Level-Cell) NAND Flash
Kapazität 512MB SLC
Geschwindigkeit Lesen: bis zu 23.75MB/Sek.
Schreiben: bis zu 15.50MB/Sek.
Schnittstelle SD2.0
Umgebung Temp.: -40°C bis +85°C
Schutz: IP67 Staub- und Wassergeschützt
Zuverlässigkeit TBW** (max.) : 20TB
MTBF @25°C:>5.000.000 h
Abmessungen 15.0 x 11.0 x 1.0mm
Sonstiges Advanced Static/Dynamic Wear leveling
AutoRefresh
Dynamic Data Refresh
SD Life Monitor
Unempfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung

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