- Industrielle S800Pi SD Karte
- Kapazität: 512MB SLC
- Vollkapselung in Epoxydharz
- Betriebstemp.: -40°C ~ +85°C
- Schutzklasse: IP67
Beschreibung
Industrielle SD Karten mit verlängerter Lebensdauer für Embedded Anwendungen
Die industriellen ATP SD Karten wurden für anspruchsvolle Industrieapplikationen wie Militär und Luftfahrt entwickelt, die zur Speicherung sensibler Daten ein Speichermedium mit hoher Zuverlässigkeit, Beständigkeit und Datenintegrität benötigen.
Durch ATPs SIP- (System-In-Package) Herstellungsverfahren können die SD-Karten Betriebstemperaturen von -40 bis +85 Celsius standhalten. Sämtliche ATP-Industrial-Grade-Produkte durchlaufen umfassende Burn-in-Tests zum Schutz vor möglichen frühzeitigen Ausfällen, die gelegentlich in jeder Halbleitertechnologie auftreten können. Darüber hinaus verfügen sie über einen Read Disturb Protector (AutoRefresh-Technologie), der gleichzeitig die Datenintegrität gewährleistet.
Wir bieten Ihnen für unsere industriellen ATP Karten eine „Fixed BOM“, was Ihnen die Sicherheit gibt, kontinuierlich, die bereits qualifizierten Karten zu erhalten. (Identische Hardware, Identische Firmware)
Bereits heute vertraut eine Vielzahl an Tier 1 Automotive Infotainment Herstellern und Telematik Entwicklern auf die ATP SD Karten zum Speichern von Kartendaten, In-Vehicle-Infotainment oder des Betriebssystems.
Hersteller-Artikelnummer Vorgänger: AF512SDI-ZADXM
Hersteller-Artikelnummer neue Version: AF512SDI-5AFXM
Spezifikationen
| Produkt: ATP SD Karte S800Pi 512MB | |
|---|---|
| Herstellernummer | AF512SDI-5AFXM |
| Flashtyp | SLC (Single-Level-Cell) NAND Flash |
| Kapazität | 512MB SLC |
| Geschwindigkeit | Lesen: bis zu 23.75MB/Sek. Schreiben: bis zu 15.50MB/Sek. |
| Schnittstelle | SD 2.0 |
| Umgebung | Temp.: -40°C bis +85°C Schutz: IP67 Staub- und Wassergeschützt |
| Zuverlässigkeit | TBW** (max.) : 20TB MTBF @25°C:>5.000.000 h |
| Abmessungen | 32.0 x 24.0 x 2.1mm |
| Sonstiges | Advanced Static/Dynamic Wear leveling AutoRefresh Dynamic Data Refresh SD Life Monitor Unempfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung |