- Kapazität: 8GB
- Anschluss: 240-Pin
- Unbuffered Non-ECC
- Bauform: SO-DIMM
- Herst.-Nr.: A4G08QA8BNPBSE
FEATURES
Beschreibung
ATP 8GB DDR4 2133MHz – NES: Leistungsstarkes Unbuffered Non-ECC SODIMM DRAM Modul für Embedded Computer
DDR4 ist die schnellste verfügbare Dynamic Random Access Memory (DRAM) Technologie. ATPs DDR4-Modul ist der Evolutionssprung zur DDR3-Technologie und unterstützt Merkmale und Funktionen, die geringeren Stromverbrauch, höhere Leistung und bessere Herstellbarkeit im Vergleich zu älteren DRAM-Produkten bieten. DDR4 eignet sich besonders für Applikationen, die eine höhere Bandbreite benötigen um damit die Leistungsfähigkeit des Produkts zu steigern.
ATP’s DDR4 DRAM ECC VLP Mini-UDIMM bietet hohe Geschwindigkeit und ist in einer Vielzahl von Konfigurationen und Kapazitäten bis zu 16GB erhältlich. Das Modul arbeitet mit einer Taktfrequenz von 2400MHz bei einer Spannung von 1.2V. Neben DDR4 gibt es das Mini-DIMM Modul ebenfalls als DDR3 und DDR2 Version.
Unabhängig vom genauen Einsatzzweck finden Sie bei BRESSNER Technology immer das perfekte Dynamic RAM Modell. Dabei können Sie zwischen Speicherkapazitäten von 2GB bis 8GB wählen. Zudem bieten wir die Module in den beiden Bauformen Dual Inline Memory Module (DIMM) sowie Small Outline Dual Inline Memory Module (SO-DIMM) an. Während DIMMs als Arbeitsspeicher in herkömmlichen Computern dienen, finden SO-DIMMs vor allem in mobilen Geräten Verwendung.
SO-DIMM Module sind zwar im Vergleich etwas teurer, dafür aber auch besonders energieeffizient und nur halb so groß wie DIMM Module, sodass sie auch in kleinen Gehäusen problemlos Platz finden. Wenn Sie DRAM Module benötigen, sich aber nicht sicher sind, welche Arbeitsspeicher für Ihre Geräte am besten geeignet sind, kontaktieren Sie uns bitte. Wir beraten Sie dann gerne unverbindlich.
Herst.-Nr.: A4G08QA8BNPBSE
Spezifikationen
Herst.-Nr.: A4G08QA8BNPBSE
ATP 8GB DDR4 2133MHz Unbuffered Non-ECC SODIMM | |||||
---|---|---|---|---|---|
Kapazität | 8GB | ||||
Bauform | SO-DIMM | ||||
Typ | Non-ECC Unbuffered | ||||
Geschwindigkeit | DDR4-2133 | ||||
Chip | 512×8 | ||||
Spannung | VDD=1.2V ± 0.06V VPP=2.5V± 0.125V VDDSPD=2.2V~3.6V |
||||
Temperatur | 0°C ~ 85°C | ||||
Sonstiges | Hohe Leistung bei einer Bandbreite von bis zu 3200 MT/s Niedrige Betriebsspannung für einen verringerten Energieverbrauch Hohe Lebensdauer, Verfügbarkeit, Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität |